MEMORY / BANDWIDTH
메모리 기술 연표
DRAM·HBM·3D NAND의 세대 전환을 개발, 샘플, 양산, 출하 단계로 나눠 봅니다.
“세대 이름 뒤에서 실제 고객 채택에 가까운 신호는 무엇인가?”
5비교 회사
40확인 이정표
1987–2026수록 범위
STATUS SHAPE
모양·선·텍스트가 사건 상태를 나타냅니다.
발표개발샘플위험생산양산출하목표
FAMILY COLOR
같은 색은 회사 간 비교 동급군을 뜻하며 물리적 동등성을 뜻하지 않습니다.
초기 NAND / 96단 이하 3DHBM 1세대HBM2DRAM 1x–1z급HBM2E3D NAND 100–199단DRAM 1α / 1a / 14nm급HBM33D NAND 200–299단DRAM 1β–1γ급HBM3E최신 3D NAND 동급군HBM4
40 개 이정표5 개 회사 선택
YEAR
1987198819901992199419961998200020022004200620082010201220142016201820202022202420262027
Kioxia7
Samsung9
SK hynix9
YMTC5
Micron10
DATA NOTE사건을 열어 원문과 날짜 정밀도를 확인하세요. 월·기간·연도 기록은 불확실성 범위로 표시하고 향후 목표는 점선으로 구분합니다.
데이터 기준일 2026.07.15
이름보다 상태와 근거를 먼저 보세요.
DRAM 공정 세대와 NAND 적층 수는 서로 다른 축이며 직접 비교할 수 없습니다. 이 연표는 회사가 실제로 사용한 이름을 유지하면서, 발표·개발·샘플·위험생산·양산·출하를 공통 상태로 다시 분류합니다.